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紫外線探測器SG01D-C18應用于紫外光刻機

時間:2020-12-28 09:57:30來源:工采網 作者:川少 點擊:
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System。
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個圖形(工藝);在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種,手動、半自動、全自動:
A 手動:指的是對準的調節方式,是通過手調旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了;
B 半自動:指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧;
C 自動: 指的是 從基板的上載下載,曝光時長和循環都是通過程序控制,自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源, 常見光源分為:
可見光:g線:436nm
紫外光(UV),i線:365nm
深紫外光(DUV),KrF 準分子激光:248 nm, ArF 準分子激光:193 nm
極紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
對光源系統的要求:
a.有適當的波長。波長越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波長越短,就表示光刻的刀鋒越鋒利,刻蝕對于精度控制要求越高。]
b.有足夠的能量。能量越大,曝光時間就越短;
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度或者叫不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈(高壓汞燈),高壓汞燈有許多尖銳的光譜線,經過濾光后使用其中的g線(436 nm)或i線(365 nm)。對于波長更短的深紫外光光源,可以使用準分子激光。例如KrF準分子激光(248 nm)、ArF準分子激光(193 nm)和F2準分子激光(157 nm)等。曝光系統的功能主要有:平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。
光刻機的主要性能指標有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。
分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子激光器等。

最后小編推薦一款應用在紫外光刻機中的紫外線探測器,由工采網從國外引進的紫外光電二極管 - SG01D-C18, SiC具有極其特別的優點,能承受高強度的輻射,對可見光幾乎不敏感,產生的暗電流低,響應速度快,這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導體紫外線探測器很好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達170℃的溫度中,溫度系數低(<0.1%/K)并且噪音低,能夠有效的監測到很低的輻射強度(需配置相應的放大器)。容源電子網為你提供技術支持,本站網址:www.yuluming.com

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